編者按：經曆了2024年的蓄勢與(yu) 回暖，全球半導體(ti) 業(ye) 界對2025年市場表現呈樂(le) 觀預期。WSTS預測，2024年全球銷售額將同比增長19.0%，達到6269億(yi) 美元。2025年，全球銷售額預計達到6972億(yi) 美元，同比增長11.2%。伴隨市場動能持續複蘇，十大半導體(ti) 技術趨勢蓄勢待發。

1.2nm及以下工藝量產(chan)

2025年，是先進製程代工廠交付2nm及以下工藝的時間點。台積電2nm工藝預計2025年下半年量產(chan) ，這也是台積電從(cong) FinFet架構轉向GAA（全環繞柵極）架構的第一個(ge) 製程節點，將導入納米片晶體(ti) 管技術。三星計劃2025年量產(chan) 2nm製程SF2，並將在2025—2027年陸續推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等不同版本，分別麵向移動、高性能計算及AI（SF2X和SF2Z都麵向這一領域，但SF2Z采用了背麵供電技術）和汽車領域。英特爾的Intel 18A（1.8nm）也將在2025年量產(chan) ，將采用RibbonFET全環繞柵極晶體(ti) 管架構和PowerVia背麵供電技術，采用Intel 18A的首家外部客戶預計於(yu) 2025年上半年完成流片。

2.HBM4最快下半年出貨

HBM的迭代和製造已經開啟競速模式。有消息稱，為(wei) 了配合英偉(wei) 達的新品發布節奏，SK海力士原計劃2026年量產(chan) 的HBM4，將提前至2025年下半年量產(chan) ，采用台積電3nm製程。三星也被傳(chuan) 出計劃在2025年年底完成HBM4開發後立即開始大規模生產(chan) ，目標客戶包括微軟和Meta。根據JEDEC固態技術協會(hui) 發布的HBM4初步規範，HBM4提高了單個(ge) 堆棧內(nei) 的層數，從(cong) HBM3的最多12層增加到了最多16層，將支持每個(ge) 堆棧2048位接口，數據傳(chuan) 輸速率達到6.4GT/s。

3.先進封裝產能持續放量

2024年，先進封裝景氣複蘇，引領封測產(chan) 業(ye) 向好。2025年，先進封裝市場需求有望持續回暖，OSAT（封裝測試代工廠商）及頭部晶圓廠將進一步擴充先進封裝產(chan) 能，並推動技術升級。台積電在加速CoWoS產(chan) 能擴充的同時，將在2025年至2026年期間，將CoWoS的光罩尺寸從(cong) 2023年的3.3倍提升至5.5倍，基板麵積突破100×100mm，最多可容納12個(ge) HBM4。長電科技上海臨(lin) 港車規級芯片成品製造基地計劃於(yu) 2025年建成並投入使用。通富超威蘇州新基地——通富超威（蘇州）微電子有限公司項目一期預計2025年1月實現批量生產(chan) ，從(cong) 事FCBGA高端先進封測。華天科技的江蘇盤古半導體(ti) 板級封測項目將於(yu) 2025年第一季度完成工藝設備搬入，並實現項目投產(chan) ，致力於(yu) 推動板級扇出封裝技術的大規模量產(chan) 。

4.AI處理器出貨繼續保持強勁

2025年，一批AI芯片新品將發布或上市，在架構、製程、散熱方式等方麵迭代更新，以期提供更強算力和能效。英特爾將在2025年推出基於(yu) Intel 18A製程的AI PC處理器Panther Lake和數據中心處理器Clearwater Forest。英偉(wei) 達預計2025年推出下一代“Blackwell Ultra”GB300，此前發布的GB200 NVL4超級芯片將於(yu) 2025年下半年供應。AMD將在2025年推出下一代AMD CDNA 4架構，相比基於(yu) CDNA 3架構的Instinct加速器，AI推理性能預計提升35倍。AI處理器的出貨動能將拉動存儲(chu) 、封裝等環節的成長。

5.高階智駕芯片進入上車窗口期

2025年被諸多車規芯片廠商視為(wei) 高階智駕的決(jue) 賽點、量產(chan) 上車的窗口期。地平線Horizon SuperDrive全場景智能駕駛解決(jue) 方案預計2025年第三季度交付首款量產(chan) 合作車型，疊加征程6旗艦版“決(jue) 勝2025年這一量產(chan) 關(guan) 鍵窗口期”。黑芝麻武當係列預計2025年上車量產(chan) ，提供自動駕駛、智能座艙、車身控製和其他計算功能跨域融合能力。芯擎科技自動駕駛芯片“星辰一號”計劃於(yu) 2025年實現批量生產(chan) 。國際企業(ye) 方麵，高通於(yu) 2024年10月發布的Snapdragon Ride至尊版平台將於(yu) 2025年出樣。此外，基於(yu) 前代Snapdragon Ride平台，高通已與(yu) 十多家中國合作夥(huo) 伴打造了智能駕駛和艙駕融合解決(jue) 方案，也將在2025年繼續上車。英特爾首款銳炫車載獨立顯卡將於(yu) 2025年量產(chan) ，滿足汽車座艙對算力不斷增長的需求。

6.量子處理器規模上量

聯合國宣布2025年為(wei) “量子科學與(yu) 技術之年”。在2024年年末，穀歌Willow、中國科學技術大學“祖衝(chong) 之三號”等最新量子處理器接連亮相，在量子比特數、量子糾錯、相幹時間、量子計算優(you) 越性等方麵取得突破。2025年，業(ye) 界有望迎來更大規模的量子處理器及計算係統。IBM將在2025年發布包含1386量子比特、具有量子通信鏈路的多芯片處理器“Kookaburra”。作為(wei) 演示，IBM會(hui) 將三個(ge) Kookaburra芯片接入一個(ge) 包含4158量子比特的係統中。此外，2025年，IBM將通過集成模塊化處理器、中間件和量子通信來展示第一台以量子為(wei) 中心的超級計算機，並進一步提升量子電路的質量、執行、速度和並行化。

7.矽光芯片製造技術走向成熟

隨著AI服務器對數據傳(chuan) 輸速率的要求急劇提升，融合了矽芯片工藝流程和光電子高速率、高能效優(you) 勢的矽光芯片備受關(guan) 注。2025年，矽光芯片的製造工藝走向成熟。湖北省人民政府在《加快“世界光穀”建設行動計劃》中提到，到2025年，完成12英寸基礎矽光流片工藝開發，形成國際領先的矽光晶圓代工和生產(chan) 製造能力。《廣東(dong) 省加快推動光芯片產(chan) 業(ye) 創新發展行動方案（2024—2030年）》提到，支持光芯片相關(guan) 部件和工藝的研發及優(you) 化，支持矽光集成、異質集成、磊晶生長和外延工藝、製造工藝等光芯片相關(guan) 製造工藝研發和持續優(you) 化。在國際企業(ye) 方麵，英偉(wei) 達在2024年12月的IEDM 2024上展示了與(yu) 台積電合作開發的矽光子原型。台積電將在2025年實現適用於(yu) 可插拔光模塊的1.6T光引擎，並完成小型可插拔產(chan) 品的COUPE（緊湊型通用光子引擎）驗證。據台積電介紹，COUPE技術使用SoIC-X芯片堆疊技術，將電子裸片堆疊在光子裸片上，從(cong) 而在die-to-die（裸片與(yu) 裸片）接口提供更低電阻和更高能效。

8.AI加速與半導體生產融合

AI正在加速與(yu) 半導體(ti) 設計、製造等全流程融合。2024年3月，新思科技將AI驅動型EDA全套技術棧部署於(yu) 英偉(wei) 達GH200 Grace Hopper超級芯片平台，將在芯片設計、驗證、仿真及製造各環節實現最高15倍的效能提升。2024年7月，Aitomatic發布首個(ge) 為(wei) 半導體(ti) 行業(ye) 定製的開源大模型SemiKong，宣稱能縮短芯片設計的上市時間、提升首次流片良率，並加速工程師的學習(xi) 曲線。2025年，AI有望輔助或者代替EDA的擬合類算法和工作，包括Corner預測、數據擬合、規律學習(xi) 等。在製造方麵，台積電有望在2nm及以下製程開發中使用英偉(wei) 達計算光刻平台cuLitho。該平台提供的加速計算以及生成式AI，使晶圓廠能夠騰出可用的計算能力和工程帶寬，以便在開發2nm及更先進的新技術時設計出更多新穎的解決(jue) 方案。

9.RISC-V開啟高性能產品化

2024年，RISC-V進一步向高性能芯片領域滲透。中國科學院計算技術研究所與(yu) 北京開源芯片研究院發布第三代“香山”開源高性能RISC-V處理器核，性能水平進入全球第一梯隊。同時，麵向人工智能、數據中心、自動駕駛、移動終端等高性能計算領域，芯來科技、奕斯偉(wei) 、賽昉科技、進迭時空等一批國內(nei) 企業(ye) 發布了IP，工具鏈，軟件平台，AI PC芯片、AI MCU、多媒體(ti) 處理器等芯片，以及開發板等產(chan) 品，並在筆記本電腦、雲(yun) 計算以及行業(ye) 應用等領域形成一批案例。RISC–V主要發明人Krste Asanovi預測，2025年RISC-V內(nei) 核數將增至800億(yi) 顆。2025年也被視為(wei) 中國RISC-V產(chan) 業(ye) 承上啟下、打造高性能標杆產(chan) 品的關(guan) 鍵一年，加速打造標誌性產(chan) 品、深化生態建設並推動RISC-V+AI融合，成為(wei) 產(chan) 業(ye) 共識。

10.碳化矽進入8英寸產能轉換階段

在2024年，碳化矽產(chan) 業(ye) 加快了從(cong) 6英寸向8英寸過渡的步伐。2025年，碳化矽產(chan) 業(ye) 將正式進入8英寸產(chan) 能轉換階段。意法半導體(ti) 在中國設立的合資工廠項目——安意法半導體(ti) 碳化矽器件工廠預計2025年量產(chan) 。芯聯集成8英寸碳化矽產(chan) 線計劃2025年進入規模量產(chan) 。羅姆福岡(gang) 築後工廠計劃於(yu) 2025年開始量產(chan) 。Resonac計劃於(yu) 2025年開始規模生產(chan) 8英寸碳化矽襯底。安森美將於(yu) 2025年投產(chan) 8英寸碳化矽晶圓。

來源：中國電子報
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